Selskap micron Technology annonserte starten på leveranser av verdens første 176-lags flashminne 3D NAND. Ifølge produsenten gjorde bruken av avansert arkitektur det mulig å gjøre et "radikalt gjennombrudd", og økte ikke bare lagringstettheten betydelig, men også ytelsen. Det nye minnet vil finne applikasjoner i lagring for datasentre, smarte perifere enheter og mobile enheter.
Nyheten er den femte generasjonen av 3D NAND og i andre generasjon av RG-arkitekturen (replacement-gate), som er den mest teknologisk avanserte blant utviklingen som er tilgjengelig på markedet. Sammenlignet med forrige generasjon av 3D NAND produsert av Micron, har lese- og skriveforsinkelser blitt redusert med mer enn 35 %. En annen fordel er den kompakte designen – 176-lags minneformen er omtrent 30 % mindre enn de beste konkurrentene, noe som gjør det nye minnet ideelt for applikasjoner der en liten formfaktor er viktig.
Microns femte generasjon 3D NAND har også en bransjeledende dataoverføringshastighet på 1600 millioner overføringer per sekund (MT/s) over Open NAND Flash Interface (ONFI)-bussen, som er 33 % raskere enn de 1200 MT/s oppnådd av 96-lags og 128-lags 3D NAND Micron-minner fra tidligere generasjoner.
Micron samarbeider med industrirepresentanter for å fremskynde bruken av det nye minnet. Microns 176-lags tre-nivås 3D NAND-minne er i serieproduksjon på Microns fabrikk i Singapore og er nå tilgjengelig for kunder, inkludert gjennom Crucials serie med solid-state-stasjoner for forbrukere. Selskapet vil introdusere ytterligere nye produkter basert på denne teknologien i løpet av kalenderåret 2021.
Les også:
- Sony kunngjør et nytt Airpeak-droneprosjekt
- Salget av en mobil steadicam - FeiyuTech AK2000С har begynt i Ukraina