Samsung annonserte starten på masseproduksjon av 16-gigabit DDR5 DRAM-minne, som bruker bransjens mest avanserte teknologiske prosess av 12-nanometer-klassen. Gjennomføringen av den mest moderne produksjonsprosessen bekrefter nok en gang ledelsen til selskapet Samsung innen avanserte DRAM-teknologier.
Sammenlignet med forrige generasjon, den nye RAM Samsung 5nm klasse DDR12 DRAM reduserer strømforbruket med 23 % samtidig som det øker waferytelsen med 20 %. Enestående energieffektivitet gjør den til en ideell løsning for globale IT-selskaper som ønsker å redusere energiforbruket og karbonavtrykket til serverne og datasentrene deres.
utvikling Samsung 12 nm prosessteknologi er muliggjort ved bruk av et nytt materiale med høy ledningsevne, som bidrar til å øke kapasiteten til cellene. Den høye kapasitansen fører til en betydelig forskjell i elektriske potensialer i datasignalene, noe som gjør det lettere å skille dem nøyaktig. Selskapets innsats for å redusere driftsspenning og redusere støy bidro også til å skape den optimale løsningen kundene trengte.
Med en maksimal hastighet på 7,2 gigabit per sekund, som betyr at to 30 GB UHD-filmer kan behandles på omtrent et sekund, vil Samsungs 5nm DDR12 DRAM-linje støtte en voksende liste med applikasjoner, inkludert datasentre, kunstig intelligens og neste generasjons databehandling.
I desember i fjor fullførte Samsung testingen av sin 16-gigabit DDR5 DRAM for kompatibilitet med AMD og fortsetter å samarbeide med globale IT-selskaper for å drive innovasjon i neste generasjons DRAM-markedet.
Les også:
Legg igjen en kommentar